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當前位置：首頁 > 產(chǎn)品中心 > 太赫茲 > 太赫茲近場探針 > THz near-field optical pr太赫茲近場探針
簡要描述：THz，太赫茲，近場探針，太赫探測，THz near-field optical probe，太赫茲近場探測，太赫茲近場探針，THz近場探測，THz探針，THz近場探針
產(chǎn)品型號：THz near-field optical pr更新時間：2025-03-12訪 問 量：1532產(chǎn)品分類
Product classification產(chǎn)品簡介
| 品牌 | 其他品牌 | 產(chǎn)地類別 | 進口 |
|---|---|---|---|
| 應用領域 | 電子/電池 |
詳細介紹
>> THz近場掃描成像系統(tǒng)原理簡介
Eachwave推出的低溫砷化鎵光電導太赫茲近場探針系列是新一代的高性能光電導型微探針，利用此太赫茲近場探針，樣品表面的近場太赫茲電場可被以被kong前的分辨率測量，信號質(zhì)量好，噪聲低。這些太赫茲探針可以無縫的與激發(fā)波長低于860nm的THz-TDS系統(tǒng)配合使用。THz近場探針提供了一個低成本的解決方案，可將您的THz-TDS升級為高分辨率的太赫茲近場掃描成像系統(tǒng)。
產(chǎn)品特點：
— 精細的太赫茲近場探針
— zhuan利設計
— 空間分辨率可達3um
— 探測頻率范圍：0-4THz
— 適用于所有基于激光的THz系統(tǒng)
— 安裝可兼容標準的光機械組建
— 集成過載保護電路
太赫茲近場探針系列 | ||
1 | TeraSpike TD-800-X | 橫向場太赫茲近場探針 |
2 | TeraSpike TD-800-Z | 縱向場太赫茲近場探針 |
3 | TeraSpike TD-800-TR.5 | 反射式太赫茲近場探針 |
4 | TeraSpike TD-1550-Y-BF | 適于1550nm波長的太赫茲近場探針 |
5 | XR-選項 | 提高機械穩(wěn)健性，但降低空間分辨率和靈敏度 |
6 | WT-選項 | "wavetrap"，有效減慢并吸收探針內(nèi)部THz信號傳輸 |
7 | TeraSpike Defender | 可選外殼，保護探頭敏感jian端免受意外機械沖擊 |
8 | TeraSpike Starter-kit | 入門工具包： ü X或Z系列TeraSpike探針。 ü TeraSpike模型 ü TS電纜連接（SMP到SMA） ü SMA到BNC適配器 ü 底座 |
橫向場太赫茲近場探針規(guī)格參數(shù)
| TeraSpike TD-800-X- | HR | HRS |
| 最小空間分辨率 | 3um | 20um |
| PC gap size | 1.5um | 2um |
| 暗電流 @1V 偏置電壓 | <0.5nA | <0.5nA |
| 光電流 | >1uA | >0.6uA |
| 激發(fā)波長 | 700..860mW | |
| 平均激發(fā)功率 | 0.1-4mW | |
| 接頭類型 | SMP | |
縱向場太赫茲近場探針規(guī)格參數(shù)
| TeraSpike TD-800- | A-500G | N |
| 最大空間分辨率 | 8 um | 8 um |
| PC gap size | 5 um | 2 um |
| 暗電流 @1V 偏置電壓 | <0.4 nA | <0.4 nA |
| 光電流 | >0.5 uA | >0.1 uA |
| 激發(fā)波長 | 700..860mW | |
| 平均激發(fā)功率 | 0.1-4mW | |
| 接頭類型 | SMP | |
反射式太赫茲近場探針是一款收發(fā)一體化的太赫茲近場探針產(chǎn)品。探針具有雙天線結(jié)構(gòu)，此結(jié)構(gòu)極大的縮短了太赫茲的傳輸路徑，可有效的應用于太赫茲近場時域譜測試以及成像測試系統(tǒng)中。
時域譜測試
反射式太赫茲近場探針結(jié)構(gòu)
反射太赫茲近場探針測試樣例
反射式太赫茲近場探針規(guī)格參數(shù)
| 型號 | 暗電流@1V偏壓 | 光電流 | 激發(fā)波長 | 平均激發(fā)功率 | 鏈接頭 |
| TeraSpike TD-800-TR.5 | < 1.5nA | > 0.5uA | 700-860nm | 0.1-4mW | 2×SMP |
規(guī)格參數(shù)
| 型號 | 脈沖上升時間 | 帶寬 | 激發(fā)波長 | 激發(fā)功率 | 懸臂材料 |
| TeraSpike TD-1550-Y-BF | <1ps | 0.01-2.5THz | 700-1600nm | 0.1-4mW | InGaAs(n-type) |
應用案例
THz 近場探針結(jié)構(gòu)示意圖
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